NOR闪光灯

NOR闪存设备-主要用于可靠的代码存储(引导,应用程序,嵌入式系统中的操作系统和就地执行[XIP]代码-提供最快的可引导内存解决方案,易于实施,由于其潜在的细胞结构,因此需要最低限度的持续管理。它们的细胞结构也使它们在本质上比其他解决方案更可靠。我们使用Authenta™技术启用的串行和非设备还使您能够利用现有的闪存插槽来实现物联网设备的健康和标识。

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动态随机存取存储器
动态随机存取存储器模块
图形存储器
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管理的NAND
记忆卡
多芯片封装
与非门闪存
NOR闪光灯
固态驱动器
产品技术
一千一百
一千三百
三维NAND闪存
五千一百
五千二百
五千二百一十
九千二百
奥斯汀
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双四芯Nor-Flash
乌迪姆
迷你DIMM
VLP RDIMM
VLP UDIMM
晶圆级CSP和KGD NOR闪蒸
XCela闪存
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按技术

串行NOR闪存
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效益

  • 166兆赫SDR 90兆赫DTR低引脚计数
  • 密度
    128MB 2GB
  • 宽度
    X1,X2,X4
  • 电压
    1.8V,3V

双四芯Nor-Flash
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效益
  • 效益1
  • 效益2
  • 密度
    256MB 1GB
  • 宽度
    X8
  • 电压
    2.7V-3.6V
传统或闪存
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注释

  • 对于新设计,不推荐使用传统或闪存产万博app官方下载品。
  • 密度
    512K-2GB
  • 宽度
    X1,X2,X4,X8,X16,X32
  • 电压
    1.8V,3V,5V

平行或非闪光
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效益

  • 行业领先水平
  • 行业标准密度
  • 密度
    128MB 2GB
  • 宽度
    X8/X16,X16
  • 电压
    3V

XCelaμflash
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效益

  • 读吞吐量高达400 MB/s
  • 随机访问时间最快可达83ns
  • 减少3倍的BGA封装面积
  • 向后兼容SPI或Flash生态系统
  • 密度
    256MB 2GB
  • 宽度
    X1,X8
  • 电压
    1.8V,3V

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